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GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

GB/T 26068-2010

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标准GB/T 26068-2010标准状态

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标准详情

  • 标准名称：硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
  • 标准号：GB/T 26068-2010
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2011-01-10
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2011-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：被GB/T 26068-2018代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
1．1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。1．2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.051Ω.cm～11Ω.cm之间。?注：本检测方法适用于测量0.25us到>1ms范围内的载流于复合寿命．晕短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB／T12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。1．3 分析工艺过程，检查沽污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以以别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

起草单位

有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司等、

起草人

曹孜、 孙燕、 黄黎、高英、

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