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GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

GB/T 14863-2013

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  • 标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
  • 标准号：GB/T 14863-2013
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2013-12-31
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2014-08-15
    技术归口：工业和信息化部（电子）
  • 代替标准：代替GB/T 14863-1993
    主管部门：工业和信息化部（电子）
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

何秀坤、 董颜辉、 周智慧、段曙光、

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