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GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

GB/T 4061-2009

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  • 标准名称：硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
  • 标准号：GB/T 4061-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 4061-1983
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 u3000u3000本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

起草单位

洛阳中硅高科技有限公司、

起草人

袁金满、

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