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GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips

GB/T 36613-2018

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标准GB/T 36613-2018标准状态

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  • 标准名称：发光二极管芯片点测方法
  • 标准号：GB/T 36613-2018
    中国标准分类号：L45
  • 发布日期：2018-09-17
    国际标准分类号：31.260
  • 实施日期：2019-01-01
    技术归口：工业和信息化部（电子）
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部（电子）
  • 标准分类：电子学光电子学、激光设备

内容简介

国家标准《发光二极管芯片点测方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称“芯片”）光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

起草单位

三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、

起草人

蔡伟智、 梁奋、 吕艳、 金威、 时军朋、 刘秀娟、李国煌、邵晓娟、周钢、

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