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GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

GB/T 29332-2012

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  • 标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
  • 标准号：GB/T 29332-2012
    中国标准分类号：L42
  • 发布日期：2012-12-31
    国际标准分类号：31.080.30;31.080.01
  • 实施日期：2013-06-01
    技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部（电子）
  • 标准分类：电子学半导体分立器件半导体分立器件综合三极管

内容简介

国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

起草单位

西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司、

起草人

蔚红旗、 张立、 王晓宝、 秦贤满、 陈子颖、乜连波、

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