当前位置：标准网 国家标准

GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

GB/T 13389-2014

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 13389-2014标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
  • 标准号：GB/T 13389-2014
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2014-12-31
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-09-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 13389-1992
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10^14cm-3～1×1020cm-3,掺磷浓度3×10^13cm-3～1×10^20cm-3,掺砷浓度10^19cm-3～6×10^20cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10^12cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

起草单位

有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、杭州海纳半导体有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、浙江省硅材料质量检验中心、浙江金瑞泓科技股份有限公司、

起草人

孙燕、 梁洪、 张静、 王飞尧、 高英、楼春兰、

相近标准

20141812-T-339 掺稀土光纤 第4部分:掺铒光纤
20231494-T-339 掺铒光纤放大器 第2部分：L波段掺铒光纤放大器
20220863-T-333 燃气掺氢混气装置
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
SL 157-2010 掺气减蚀模型试验规程
GB/T 18898.2-2008 掺铒光纤放大器 L波段掺铒光纤放大器
GB/T 28504.1-2012 掺稀土光纤 第1部分：双包层掺镱光纤特性
GB/T 28504.2-2021 掺稀土光纤 第2部分：双包层掺铥光纤特性
GB/T 18898.1-2021 掺铒光纤放大器 第1部分：C波段掺铒光纤放大器
SY/T 6394-2009 油井水泥与外加剂（外掺料）干混作业与气力输送规程

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」