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GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

GB/T 32651-2016

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标准GB/T 32651-2016标准状态

发布于：2016-04-25
实施于：2016-11-01
废止

标准详情

标准名称：采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
标准号：GB/T 32651-2016
中国标准分类号：H82
发布日期：2016-04-25
国际标准分类号：29.045
实施日期：2016-11-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（A1）、砷（As）、（Sc）、（Ti）、钒（v）、锰（Mn）、钻（C。）、（Ga）等元素的测定范围为5 μg／kg～50mg／kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

起草单位

国家太阳能光伏产品质量监督检验中心（无锡市产品质量监督检验中心）、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、

起草人

何莉、吴建国、刘晓霞、鲁文锋、李建德、黄雪雯、裴会川、王琴、周滢、陈进、封丽娟、孙绍武、冯亚彬、

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