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GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

GB/T 25188-2010

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  • 标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
  • 标准号：GB/T 25188-2010
    中国标准分类号：G04
  • 发布日期：2010-09-26
    国际标准分类号：71.040.40
  • 实施日期：2011-08-01
    技术归口：全国微束分析标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：化工技术分析化学化学分析

内容简介

国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

起草单位

中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院、

起草人

刘芬、 王海、 赵志娟、 邱丽美、 赵良仲、宋小平、

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