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GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

GB/T 33236-2016

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标准GB/T 33236-2016标准状态

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  • 标准名称：多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
  • 标准号：GB/T 33236-2016
    中国标准分类号：G04
  • 发布日期：2016-12-13
    国际标准分类号：71.040.40
  • 实施日期：2017-11-01
    技术归口：全国微束分析标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：化工技术分析化学化学分析

内容简介

国家标准《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了采用辉光放电质谱（GD-MS）法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。 本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数），检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1％的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

起草单位

中国科学院上海硅酸盐研究所、

起草人

卓尚军、 钱荣、 盛成、 高捷、 董疆丽、申如香、郑文平、

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