SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
标准SJ 20858-2002标准状态
- 发布于：2002-12-12
- 实施于：2003-05-01
- 废止
内容简介
本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六所
起草人
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- 标准质量：
- 发布者资料：
- Shawn Lee
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