GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法_标准下载

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GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

GB/T 42905-2023

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标准GB/T 42905-2023标准状态

发布于：2023-08-06
实施于：2024-03-01
废止

标准详情

标准名称：碳化硅外延层厚度的测试红外反射法
标准号：GB/T 42905-2023
中国标准分类号：H21
发布日期：2023-08-06
国际标准分类号：77.040
实施日期：2024-03-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、

起草人

钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤、

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