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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 30867-2014

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标准GB/T 30867-2014标准状态

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  • 标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
  • 标准号：GB/T 30867-2014
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2014-07-24
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-02-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院、

起草人

丁丽、 周智慧、 郝建民、蔺娴、

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