GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
标准GB/T 36477-2018标准状态
- 发布于:2018-06-07
- 实施于:2019-01-01
- 废止
内容简介
国家标准《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
起草单位
中国电子技术标准化研究院、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、复旦大学、
起草人
菅端端、 陈大为、 冯光涛、 倪昊、 田万廷、 高硕、 钟明琛、罗晓羽、赵子鉴、董艺、闵昊、刘刚、
相近标准
GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)
SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口
20233686-T-339 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第八篇:集成电路静态读/写存储器空白详细规范
GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范
GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范
GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用)
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路 集成电路动态读/写存储器空白详细规范
20182269-T-339 半导体集成电路射频发射器/接收器测试方法
GB/T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。
- 标准质量:
- ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。
下载说明
「相关推荐」
- 1 GB/T 39560.12-2024 电子电气产品中某些物质的测定 第12部分:气相色
- 2 GB 44703-2024 光辐射安全通用要求
- 3 GB/T 14078-2024 氦氖激光器技术规范
- 4 GB/T 31274-2024 电子电气产品限用物质管理体系 要求
- 5 GB/T 44390-2024 打印显示 薄膜均匀性测试方法
- 6 GB/T 44375-2024 300mm半导体设备装载端口要求
- 7 GB/T 44293-2024 显微物镜数值孔径图像式测量方法
- 8 GB/T 27665-2024 掺钕钇铝石榴石激光棒激光性能测量方法
- 9 GB/T 43931-2024 宇航用微波集成电路芯片通用规范
- 10 GB/T 44077.41-2024 透明显示器件 第41部分:测试方法 光学性能
- 11 GB/T 18910.63-2024 液晶显示器件 第6-3部分:液晶显示模块测试方法
- 12 GB/T 43864.12-2024 显示光源组件 第1-2部分:术语和文字符号