GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法_标准下载

GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

GB/T 6616-1995

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标准GB/T 6616-1995标准状态

发布于：1995-04-18
实施于：1995-12-01
废止

标准详情

标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
标准号：GB/T 6616-1995
中国标准分类号：H21
发布日期：1995-04-18
国际标准分类号：
实施日期：1995-12-01
技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 6616-2009被GB/T 6616-2009 代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：

内容简介

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10～2×10Ω·cm和2～3×10π/□。
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

上海有色金属研究所、

起草人

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