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GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

GB/T 26066-2010

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标准GB/T 26066-2010标准状态

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  • 标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
  • 标准号：GB/T 26066-2010
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2011-01-10
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2011-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司、

起草人

田素霞、 张静雯、 王文卫、周涛、

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