GB/T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法_标准下载

GB/T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence

GB/T 43493.3-2023

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标准GB/T 43493.3-2023标准状态

发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法
标准号：GB/T 43493.3-2023
中国标准分类号：L90
发布日期：2023-12-28
国际标准分类号：31.080.99
实施日期：2024-07-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、广东天域半导体股份有限公司、浙江大学、山西烁科晶体有限公司、中电化合物半导体有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门特仪科技有限公司、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、

起草人

芦伟立、房玉龙、丁雄杰、张冉冉、张建锋、李振廷、刘立娜、杨世兴、金向军、尹志鹏、周少丰、林志阳、李佳、殷源、王健、李丽霞、徐晨、杨青、马康夫、钮应喜、刘薇、陆敏、

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