GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法_标准下载

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GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法

Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

GB/T 19444-2004

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标准GB/T 19444-2004标准状态

发布于：2004-02-05
实施于：2004-07-01
废止

标准详情

标准名称：硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法
标准号：GB/T 19444-2004
中国标准分类号：H26
发布日期：2004-02-05
国际标准分类号：29.040
实施日期：2004-07-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程绝缘流体

内容简介

国家标准《硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司、

起草人

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