GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类_标准下载

GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

GB/T 43493.1-2023

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标准GB/T 43493.1-2023标准状态

发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类
标准号：GB/T 43493.1-2023
中国标准分类号：L90
发布日期：2023-12-28
国际标准分类号：31.080.99
实施日期：2024-07-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件

内容简介

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、浙江大学、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、广州弘高科技股份有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、中微半导体（上海）有限公司、

起草人

房玉龙、芦伟立、张红岩、王健、李振廷、张建锋、刘立娜、钮应喜、刘薇、杨玉聪、姚玉、高东兴、夏俊杰、周少丰、李佳、张冉冉、李丽霞、殷源、徐晨、杨青、金向军、丁雄杰、魏汝省、吴会旺、王辉、陆敏、郭世平、

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