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GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-2009

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标准GB/T 11072-2009标准状态

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  • 标准名称：锑化铟多晶、单晶及切割片
  • 标准号：GB/T 11072-2009
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 11072-1989
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《锑化铟多晶、单晶及切割片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

起草单位

峨嵋半导体材料厂、

起草人

王炎、 何兰英、 张梅、

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